Датчики вихревого тока
Если электропроводящая, ровная или искривленная мембрана (пластина) (например, из алюминия или меди) приближается к катушке, запитанной высокочастотным вихревым током (обычно не содержащей железа), это влияет как на ее активное сопротивление, так и на ее индуктивность. Причиной этого становятся вихревые токи, возникающие в демпферной пластине (спойлере) из-за возрастающего магнитного взаимодействия. Положение этой демпферной пластины отражает отрезок измерений s.
Рис. Принцип демпфирования и вихревого тока HF:
- Диск амортизатора
- Вихревые токи
- Воздушная катушка
- Автогенератор различной амортизации
- Демодулятор
- s — Измеряемый путь
- A(s) — Напряжение генератора
- UA(s) — Выходное напряжение
В целом высокая рабочая частота (диапазон MHz, низкочастотное питание поглощало бы слишком много электротока из-за низкой индуктивности катушки) требует прямого подчинения электроники датчику или экранированного соединения — часто даже переносного. Для преобразования измерительного эффекта в электрическое выходное напряжение может использоваться также эффект демпфирования (эффективное сопротивление) и эффект замещения поля (индуктивность). В первом случае подходит, например, осциллятор изменяемой амплитудой колебаний, в другом случае, осциллятор изменяемой частоты или индуктивный делитель напряжения, получающий питания путем постоянной частоты (различное расположение).
Принцип вихревого тока позволяет различными способами приспосабливаться к задаче по выполнению измерений. Он хорошо подходит как: для определения больших отрезков или углов (уже существовала почти серийная разработка, например, для дроссельной заслонки и педали газа), так: и очень маленьких величин (например, датчики крутящего момента). Поскольку датчики вихревого тока принципиально можно производить как микромеханические, с точки зрения их преимуществ нельзя исключить их применение в будущем. Широкое использование находит принцип датчика в измерительной технике, используемой в производстве и контроле качества, как для точного определения малых отрезков/расстояний, так и для толщины слоев в диапазоне мкм.
Добавить комментарий